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5 频率响应

521字约2分钟

2022-06-09

模拟电子技术基础-频率响应

基本要求

  • 掌握放大电路频率响应的基本概念和描述方法
  • 了解各元件参数对放大电路的频率响应性能的影响
  • 了解放大电路不同组态频率响应的特点

单时间常数RC电路的频率响应

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R1C1>>R2C2 and C1>>C2 R_1C_1>>R_2C_2 \ and \ C_1>>C_2

中频响应

1R1C1<<ω<<1R2C2 \frac{1}{R_1C_1}<<\omega <<\frac{1}{R_2C_2}

故等效为:

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A˙vM=1,φ=0° |\dot A _{vM}|=1,\varphi =0°

高频响应(低通电路)

1R1C1<<1R2C2<<ω \frac{1}{R_1C_1}<<\frac{1}{R_2C_2}<<\omega

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A˙vH=11+jωR2C2=11+j(f/fH) when fH=12πR2C2A˙vM=11+(f/fH)2, φ=arctan(f/fH) \dot A_{vH}= \frac{1}{1+j\omega R_2C_2}=\frac{1}{1+j(f/f_H)} \space when \space f_H=\frac{1}{2\pi R_2C_2} \\ |\dot A _{vM}|=\frac {1}{\sqrt{1+(f/f_H)^2}},\space \varphi =-arctan(f/f_H)

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注:横坐标也是对数值。

低频响应(高通电路)

ω<<1R1C1<<1R2C2 \omega<<\frac{1}{R_1C_1}<<\frac{1}{R_2C_2}

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A˙vL=jωR2C21+jωR2C2=11j(fL/f)  when fL=12πR1C1A˙vM=11+(fL/f)2, φ=arctan(fL/f) \dot A_{vL}= \frac{j\omega R_2 C_2}{1+j\omega R_2C_2}=\frac{1}{1-j(f_L/f)}\ \ when \ f_L=\frac{1}{2\pi R_1C_1} \\ |\dot A _{vM}|=\frac 1{\sqrt{1+(f_L/f)^2}},\ \varphi =arctan(f_L/f)

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全频响应

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放大电路的频率响应

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将放大电路抽象为以上模型,运用一阶RC频率响应的方法求解。

MOSFET 高频小信号模型

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高频小信号,考虑极间电容。

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CM1=(1+gmRL)Cgd, CM2可忽略Rsi=RSi//RgRL=Rd//RLAvsMfH12πRsiCgd \begin{array}{lr} C_{M1}=(1+g_mR_L')C_{gd},\ C_{M2}\text{可忽略} \newline R_{si}'=R_{Si}//R_g \newline R_L'=R_d//R_L \newline |A_{vsM} ·f_H| \approx \frac{1}{2\pi R_{si}C_{gd}} \end{array}

阻容耦合放大电路的等效RC高通电路

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两个耦合电容,一个旁路电容,

fL1=12π(Rsi+Rg)Cb1fL2=12π(1/gm)CsfL3=12π(Rd+RL)Cb2 f_{L1}=\frac{1}{2\pi (R_{si}+R_g)C_{b1}} \\ f_{L2}=\frac {1}{2\pi (1/g_m)C_s} \\ f_{L3}=\frac{1}{2\pi (R_d+R_L)C_{b2}}

三极管基本放大电路频率响应比较

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