3 场效应管及其放大电路
模拟电子技术基础--MOS管及其放大电路
MOSFET
N沟道增强型MOSFET
- 结构及电路符号
工作原理（略，内容繁杂已理解不陈列）
TIPS:
- 沟道中只有一种载流子参与导电，故称为单极型三极管
- 栅极绝缘，输入电阻很高
- MOSFET是电压控制电流器件 栅源电压控制漏极电流
- 预夹断前漏极电流与漏源电压呈线性关系；预夹断后趋于饱和。
I-V特性方程以及特性曲线
① 截止区 ② 可变电阻区 ③ 饱和区（恒流区、放大区）
N沟道耗尽型MOSFET
已经形成了沟道，故特性方程发生相应变化。
P沟道MOSFET
MOSFET电流电压特性小结
沟道长度调制等几种效应
沟道长度调制效应
体效应（没听过？）
温度效应（不重要吧？）
MOSFET的主要参数
直流参数
交流参数（饱和区）
MOSFET 基本共源放大电路
基本共源极放大电路的组成
MOS工作在饱和区
信号通过MOS管传递
基本共源极放大电路的工作原理
- 放大电路的静态和动态
- 放大电路的直流通路和交流通路
- 放大电路的静态点估算
需检验是否在饱和区，若不在，则说明工作在可变电阻区，此时漏极电流为
- 放大电路的动态工作情况
MOSFET 图解分析法
用图解方法确定静态工作点Q
动态工作情况的图解分析
- 正常工作情况
- 截止失真：漏极电流等于0，进入截止区
- 饱和失真：漏极电流过大不能保证线性放大的时候
小信号模型分析法
MOSFET 小信号模型
用小信号模型分析共源极放大电路
求静态工作点：
- 输入回路漏源电压电路方程
- 假设工作在饱和区 三极管漏极电流饱和区特性电路方程
- 输出回路栅源电压电路方程
- 三个方程联立求解
- 验证饱和区
- 不在饱和区则通过可变电阻区特性方程求漏极电流
画出小信号等效电路：
- 从MOS管开始画
- 电容和直流电压源短路
- 直流电流源断路
共漏极和共栅极放大电路
共什么极把哪个极放在下面。
共漏极（源极跟随器）放大电路
共栅极放大电路
三种组态比较
组合放大电路
共源-共漏放大电路
共源极-共栅放大电路
与单一组态分析方法一致，注意前一级的输出电阻是后一级的信号源内阻，后一级的输入电阻是前一级的负载。